وحدة لوحة PCBA لمحاكاة الطاقة الشمسية LED 200-1750 نانومتر
تنتمي مواد رقاقة SWIR LED في المقام الأول إلى III-V أشباه الموصلات المركبة.
اعتمادا على الطول الموجي المستهدف (تتراوح عادة من 1050نانومتر إلى 2500 نانومتر), تشمل المواد الأكثر استخدامًا:
- InGaAs (إنديوم جاليوم زرنيخيد): المادة الأكثر شيوعًا لـ SWIR. عن طريق ضبط نسبة الإنديوم إلى الغاليوم, يمكنه تغطية غالبية طيف الأشعة تحت الحمراء قصير الموجة (على سبيل المثال, 1050نانومتر – 1700 نانومتر).
- في ص (فوسفيد الإنديوم): يستخدم بشكل متكرر كركيزة للنمو الفوقي أو لهياكل الرقائق عالية الأداء.
- GaAs (زرنيخيد الغاليوم): غالبًا ما يستخدم للأطوال الموجية الأقصر بالقرب من حدود NIR أو كطبقة أساسية في الهياكل الفوقي.
- جاسب (أنتيمونيد الغاليوم): يستخدم عندما يتطلب التطبيق أطوال موجية أطول, تتجاوز عادة 2000نانومتر.
يتم اختيار هذه المواد لأنها فجوة الحزمة يتوافق على وجه التحديد مع طاقة فوتونات SWIR, بينما السيليكون التقليدي (و) شفافة وغير فعالة في هذا النطاق.
